半导体是导电才能介于导体与绝缘体之间的一种物体。它内部运载电荷的粒子有载流子(带负电荷的自由电子)和空穴载流子(带正电荷的空穴)。硅、锗、硒以及大大都金属氧化物和硫化物都是半导体。

  但凡原子依照必定规则、接连规整地摆放着的物体称为晶体。半导体一般都具有这种结构，所以半导体也被称为晶体。

  本征半导体是彻底纯洁的(不含任何其它元素)、具有晶体结构的半导体。本征半导体内部电子和空穴的数量在任何情况下总是持平的。如锗单晶、硅单晶便是本征半导体。

  掺杂是指在本征半导体中掺进必定类型和数量的其它元素，掺进去的其它元素为杂质。掺杂的意图是改进半导体的导电才能，亦即掺杂后，使半导体在原有的“电子-空穴对”的基础上，添加很多的电子或空穴。

  假如给本征半导体掺进某种微量的杂质后，使它取得很多电子，则掺有这种杂质的导体就称“电子型半导体”或“N型半导体”。在N型半导体中，除“电子-空穴对”供给的载流子外。首要的、很多的是电子载流子。因此，电子称为大都载流子，而空穴则称少量载流子。

  假如本征半导体掺杂后能取得很多空穴，则这种半导体就称“空穴型半导体”或“P型半导体”。在P型半导体中，除“电子-空穴对”供给的载流子外，首要的、很多的是空穴载流子，所以空穴称大都载流子，而电子则称少量载流子。

  将P型半导体和N型半导体用特别工艺结合在一同时，因为P型半导体中的空穴多，N型半导体中的电子多，在接壤面上，大都载流子就要分别向对方分散，在接壤处的两边构成带电荷的薄层，称为空间电荷区，又称为PN结。

  1、PN结空间电荷区的一边带正电，另一边带负电,产生了PN结的内电场，其方向为N区的正电荷区指向P区的负电荷区，阻止了P区空穴进一步向N区分散和N区电子向P区持续分散。

  2、假如把PN结的P区接电源正端，N区接电源负端，如上图(a)，外加电场方向与内电场相反，而且外电场很强，这样，在外电场效果下，两边的大都载流子不断跳过PN结，构成正向电流。这种接法称为 PN结的正向衔接。PN结对正向电流的阻止效果很小，电流简单经过。相反，假如把外电压反接，如上图(b)，则外电场方向与PN结内电场的方向共同，因此加强了对大都载流子的阻挠效果，使得PN结中流过的电流极小，这一电流又称为反向漏电流。PN结加反向电压时对电流的阻效果，从外部看，反映出PN结的反向电阻很大，这便是半导体PN结具有单向导电性的基本原理。

  1、在纯洁的半导体内部、电子载流子(简称电子)和空穴载流子(简称空穴)是成对地存在的，称“电子-空穴对”外电场效果下，空穴沿电场方向移动，电子逆电场方向动。

  2、半导体内部的“电子-空穴对”会随温度上升或受光照而增多，使导电才能增强。

  3、绝对零度时，“电子-空穴对”消失，半导体失掉导电才能，相当于绝缘体。

  元器件。喜爱的顶一顶，介绍的十分具体哦。。。。[此贴子现已被作者于2008-5-24 11:05:21修改

  与绝缘体之间的一种物体。它内部运载电荷的粒子有电子载流子(带负电荷的自由电子)和空穴载流子(带正电荷的空穴)。

  功能。它们一般由纯度高达99.9999%的单一元素或复合元素（例如硅或锗）制成，并能经过操控其内部结构的缺点

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