0 引 言 NiO作为一种P型半导体材料，因其具有稳定而较宽的带隙在电池材料、催化剂、气敏材料等方面存在广泛的应用。以NiO为基体材料制作的气敏元件虽然具有响应一恢复快，稳定性比较好等优点，但与N型半导体SnO，ZnO等气敏材料相比，NiO的气体灵敏度较低，这还在于NiO为空穴导电，吸附可燃气体后空穴减少，电阻增大，而NiO材料本身的电阻又比较高。因此，不断改善提高NiO的气敏性能使其具有实用性是当前研究的重点所在。本文利用水热法制备NiO对其进行不同质量分数的WO3掺杂，研究了掺杂后NiO

  SEMI和国际Techsearch公司共同合作，对全球半导体封装材料市场进行调研，2007年全球半导体封装材料市场达到152.17亿美元。从过去5年封装材料市场数据看，中国仍是全球封装材料生产重镇，而且是投资持续增长的地区之一。 材料种类慢慢的变多 过去几年，全球半导体封装主要是采用以下型式：CSP(芯片级封装)、flipchip(倒焊封装)、stackeddiepackaging(芯片堆叠封装)及waferlevelpackag-ing(硅片级封装)。 全地球手机及其他移动电子科技类产品的广泛

  一、北京电子信息材料领域技术的现状及优势 北京信息产业慢慢的变成了首都经济发展的重要支柱产业，2006年，北京信息产业的工业增值超过1300亿，占全市GDP的16.6%，信息产业的加快速度进行发展强劲拉动了我市电子信息材料产业的发展。目前，北京电子信息材料领域已经初具规模，整体技术水平居于国内领头羊。优势产业大多分布在在集成电路配套材料、光电显示材料和磁性材料三大领域。 首先我们的角度来看集成电路配套材料领域。北京聚集了中科院半导体所、中科院物理所、有色金属研究总院等多家国家半导体材料领域的顶尖级科研机构，

  国际半导体设备材料产业协会(SEMI)于近日在日本举行的SEMICON Japan展会上，公布了年终资本设备销售预测报告(SEMI Capital Equipment Consensus Forecast)，预计2007年半导体设备销售额将达到416.8亿美元，比2006年增长3%。 SEMI指出，在2006年半导体设备支出大幅度增长23%之后，今年的设备采购相对保守，第三季的全球半导体设备出货额为111.3亿美元，比第二季微增1%，呈现平稳增长。SEMI进一步预测，2008年的整体半导体设备市场

  iSuppli预测，今年全球连接器市场营收与2006年的420亿美元相比，将上升8.1%，达到464亿美元。与之相对的是2006年连接器营收上升了9.2%。 2006年上半年连接器需求势态令人出乎意料，十分强劲，接着在2007年上半年有所下滑。连接器业务减速的一个重要原因是美国经济发展速度开始减缓。如果美国经济下滑到不景气的程度，则有可能威胁全球连接器产业增长。 不过由于制造商将业务运作转移到亚洲，该地区的连接器产业有望在2007年保持全球领先的水平，而不受美国经济的影响。推动连接器销量增

  过去十年，「摩尔定律」即将告终的警讯不断被提及。但是麻省理工学院(MIT)的新兴技术大会(Emerging Technologies Conference)的研究人员最近表示，摩尔定律的告终或许会比预期更快，因为CMOS的升级已经越来越不容易与摩尔定律平衡了。摩尔定律或许在最近十年就会不敷使用，而这会引导他们去开发新材料与封装方式。 “即使我们大家可以继续维持摩尔定律，但如果我们不关心，效能可能会开始降低。”IBM研究部门资深经理David Seeger于会议中以“明日芯片”为题的演讲中如此告诉与会

  瓷粉：它是产品质量水平高低的决定性因素，采用技术不成熟的瓷粉材料会存在重大的质量事故隐患。 进口：北美中温烧结瓷粉、日本高温烧结瓷粉均较成熟。 国产材料：I类低K值瓷粉较成熟。 （三巨电子科技公司均采用美国进口瓷粉设计制造COG、X7R类中高压MLCC产品，低压产品选用日本进口瓷粉设计制造。） 内浆：它是产品质量水平重要的条件，基本要求是与瓷粉材料的匹配性好，如采用与瓷粉材料匹配性不良的内浆制作MLCC，其可靠性会大幅度下降。 端浆：它是产品性能高低的主要的因素，如端浆选用不当

  在过去的20年间，中国电子元件行业走过了快速的提升的历程，在总体规模不断突破的同时，企业效益和行业集约度也在逐步的提升。不过，在电子元件升级换代的历史机遇下，如何从电子元件大国走向电子元件强国也成为摆在整个中国电子元件行业面前的一道难题。参加会议的专家建议，企业应该以发展新型高端元件为方牵引，以关键材料和关键技术为突破口，全方面提升中国电子元件产业的产品结构和技术水平。 20年发展破千亿，向效益型企业转变 中国电子元件行业协会信息中心提供的数字显示，电子元件百强企业总体出售的收益在2006年首次突破千亿元大

  莱尔德科技推出经济型高性能导热在允许电压下不导电的材料T-GARD20。这一产品是针对电脑的供电电源而设计的。 T-gard20的介质击穿电压（DBV）为9000Vac，具备极高的电气可靠性。客户不用担心他们的应用系统的电介质绝缘问题。T-gard20的介质击穿电压是竞争对手的两倍。 “这项产品使用厚度为0.05mm电气级聚脂，介电强度是始终一致的。”莱尔德科技导热在允许电压下不导电的材料全球产品经理RobertKranz说道。“相变涂敷层的表面湿润性很

  一、全球IC构装产业概况 由全球的IC封测产能利用率来看，2005年上半的产能利用率是从2004年第三季的巅峰开始逐渐下滑，但到2005年第二季时已跌落谷底，并开始逐季向上攀升，在2005年底时全球的封测产能利用率已达八成左右，整体表现可说是一季比一季好。2005年全球IC构装市场在2004年的增长力道延续之下，全球2005年的IC构装产值达到303亿美元，较2004年增长10.9%，预期在半导体景气逐步加温下，2006年可达336亿美元。

  国际半导体设备暨材料协会(SEMI)分析师DanTracy日前预计，2006年总体材料市场增长7.2%，将从2005年的179.53亿美元增长至192.4亿美元。Tracy曾预计该领域在2005年会获得6%的年度增长，而后由台湾工研院经资中心(IEK)公布的实际增长率为5.8%。 分析师指出，在300毫米晶圆技术驱动下，预计全球硅晶圆材料市场在未来几年将出现强劲增长。2006年硅晶圆市场预计会增长7.4%，从2

  国际半导体设备暨材料协会(SEMI)分析师DanTracy日前预计，2006年总体材料市场增长7.2%，将从2005年的179.53亿美元增长至192.4亿美元。Tracy曾预计该领域在2005年会获得6%的年度增长，而后由台湾工研院经资中心(IEK)公布的实际增长率为5.8%。 分析师指出，在300毫米晶圆技术驱动下，预计全球硅晶圆材料市场在未来几年将出现强劲增长。2006年硅晶圆市场预计会增长7.4%，从2005年的82.02亿美元增长到2006年的89.88亿美元。 Tracy

  介绍了一种高响应速度和高精度的峰值保持器，这种器件采用跨导型运算放大器。

  欢迎您创建该词条，阐述对材料的理解，并与今后在此搜索材料的朋友们分享。

  通往5G之路：功率放大器：第二部分：5G移动基础设施中功放温升管理的考量

  MIT 曹原的16 天，1 篇 Science、2 篇 Nature， 魔角石墨烯“旋之又旋” 妙在哪？丨深度